安捷伦科技（Agilent Technologies Inc.）宣布，敦南科技公司（Lite-On Semiconductor Corp.）选用安捷伦的IC-CAP器件仿真软件来开发高电压半导体应用，如漏极扩展（DE）金属氧化半导体（MOS）和横向扩散（LD）MOS模型。

敦南科技是台湾一家专门开发高电压应用（如电源供应器、数字显示器及其他PC和网络产品的开发）中所使用的混合信号高电压和高电流集成电路技术的公司。该公司在评估过各种产品之后，决定选用弹性和程控能力俱佳的IC-CAP。就DE MOS或LD MOS仿真而言，基于该公司特殊的器件结构，合乎工业标准的BSIM3模型并非理想的选择。当使用BSIM3模型来进行DE MOS或LD MOS仿真时，工程人员将必须忍受较低的准确度。透过IC-CAP的定制程序化能力，工程人员便可使用BSIM3或其他商用模型来作为设计的基础，准确仿真他们的高电压器件设计的行为特性。IC-CAP也包含BSIM3模型，并可链接到受欢迎的电路仿真器如HSPICE，以获得快速而准确的电路仿真结果。

敦南科技技术开发与组件部门副理Ying-Tsung Wu表示：「对薄膜晶体管和电源供应器产业来说，如何取得准确的高电压模型一直是个很大的挑战。IC-CAP是我们所发现最棒的器件仿真软件，它提供了我们的高电压器件设计应用所需的模型准确度和弹性。」