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IR推出12V双重N信道及P信道MOSFET
适用于DDR内存及实时起动电路

【CTIMES/SmartAuto 黃明珠报导】   2002年07月16日 星期二

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全球功率半导体及管理方案厂商-国际整流器公司(International Rectifier)推出全新IRF7338组件,把一对互相补足的12V N信道及P信道HEXFET功率MOSFET融合于单一SO-8封装。与其他解决方案比较起来,IRF7338是一款极具经济效益的组件,适用于不同装置的实时起动电路,包括USB埠、具双倍数据速率 (DDR) 的动态随机存取内存 (DRAM) 应用系统,以及其他需利用单极双投 (Single-pole Double-throw,简称SPDT) 组件在待机电压和核心电压轨道间进行切换的电路。SPDT开关配备单一控制输出,可驱动单一或其他电路路径,依照控制输入的高低而定。

IR表示,IRF7338组件以简单的运算放大器 (op-amp) 驱动,能在DDR内存应用中为终断终端电压 (VTT) 提供交替来源和散热路径。在USB应用中,这款采用联合封装的新MOSFET能把USB埠实时切换于5V待机轨道和5V核心轨道之间。在PCI应用中,该组件更可切换于3.3V待机轨道和3.3V核心轨道。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「IRF7338经过优化,适用于支持先进配置电源接口 (ACPI) 的计算机,提供待机与全功率状态之间的快速切换。ACPI接口适用于笔记本电脑、桌面计算机及服务器,有助于电源系统资源管理、节省能源使用,同时可将电池寿命延至最长。」IRF7338的P信道部分可切换高至3A的电流,N信道部分则可切换高至6.3A的电流。两组组件的栅电荷极低,有助于简化栅驱动电路的设计。

關鍵字: 国际整流器公司  朱文义  電源供應器 
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