快捷半导体公司于日前宣布，推出结合N沟道MOSFET和肖特基二极管的器件FDZ3N513ZT，占位面积仅为1mm x 1mm，以满足客户需求和发展趋势。

快捷半导体推出新款升压转换器

FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要组件，用以驱动串联白光LED，为智能型手机的显示屏幕（以及按键，如果有键盘的话）提供照明。FDZ3N513ZT结合了一个30V 整合式 N沟道MOSFET 和一个肖特基二极管，具有极低的输入电容（典型值45pF）和整体闸极电荷（1nC），以提高升压转换器设计的效率。FDZ3N513ZT采用1mm x 1 mm WL-CSP封装，与采用1.6mm x 1.6mm封装的器件相比，可节省60% 的电路板占位空间。

快捷表示，FDZ3N513ZT是快捷半导体全面的先进MOSFET系列的一部分，能够满足业界在充电、负载开关、DC-DC和升压应用方面对紧凑、扁平的高性能MOSFET之需求。