【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技术，让产品设计达到前所未有的功率密度和效能水平。英飞凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率与频率上，提供更高的灵活度，协助功率转换配置的开发人员达到节省空间和重量、减少冷却需求、提升可靠性并缩减系统成本。

英飞凌工业电源控制事业处总裁 Helmut Gassel 博士

英飞凌工业电源控制事业处总裁Helmut Gassel 博士表示：「二十多年以来，英飞凌一直是开发SiC 解决方案的先锋，以满足节能、精简体积、系统整合和提升可靠度的需求。我们的肖特基二极体与J-FET 技术让设计人员得以超越传统矽的限制，达到更高的功率密度和效能，英飞凌的SiC 元件已经被用于数以百万计的产品当中。此策略现更向前迈出一大步，将功率MOSFET 整合，让SiC 技术发挥更多优势，这是以前无法实现的事。」

SiC MOSFET 功能的影响力确实让人印象深刻。功率转换配置运作时所使用的切换频率，可达现今所使用之三倍或更高，其带来的好处能减少磁性元件和系统外壳制造材料中的铜与铝含量，有助于制造出更小及更轻的系统，以减少运输需求，也更容易安装。而功率转换应用的设计人员更能创造出节能的新解决方案，并在全新范畴中运用效能、效率和系统弹性。

新的 1200 V SiC MOSFET 经过优化能兼顾可靠性和效能。其运作时的动态损耗比1200 V Si IGBT 降低了一个数量级，可从根本上更为优化的系统，应用包括：光电逆变器、不断电系统(UPS) 或充电器/储存系统等，而之后也将延伸至工业马达应用。

MOSFET 与一般驱动 IGBT 所用的 +15 V/-5 V 电压完全相容，并结合目标应用所需的4V的导通临界电压 (Vth) 和强健的短路电流需求及可完全控制 dv/dt 特性。更胜 Si IGBT 替代方案的主要优点包括不受温度影响的切换损耗，以及无最低导通电压的导通特性。

依据累积多年 SiC 半导体开发经验，全新 MOSFET 采用先进的沟槽半导体制程，同时也是英飞凌 CoolSiC 技术全系列产品的最新发展。此系列包括肖特基二极体和 1200 V J-FET 装置以及在模组装置中结合 Si IGBT 与 SiC 二极体的各种混合式解决方案。

第一款分立式1200 V CoolSiC MOSFET 的额定导通电阻(RDS(ON)) 仅45 微欧姆，针对光电逆变器、不断电系统、充电器和能源储存应用，提供3 针脚和4 针脚的TO-247 封装。因为整合了稳定的本体二极体，其运作时反向回复损耗接近零，因此两种装置皆可在同步整流线路中使用。 4 针脚封装在源极上设有额外的 (Kelvin) 连线，可作为闸极驱动电压的参考电位。由于消除了因源极电感带来的压降影响，因此特别是在使用较高切换频率的时候能进一步减少切换损耗。

英飞凌同时推出采用SiC MOSFET 技术的1200 V Easy1B半桥式与升压器模组，由于结合了PressFIT连线与良好的散热介面、极低的离散电感与坚固设计，因此每个模组皆提供11 微欧姆和23 微欧姆两种额定RDS(ON) 选项。英飞凌会在 2016 年下半年开始针对目标应用提供样品，预计于 2017 年开始量产。

[参展讯息]

展会名称：PCIM 2016

展会日期：2016 年 5 月 10-12 日

摊位编号：9号馆第412号摊位

展览地点：德国纽伦堡

展示要点：应用于工业、消费性与汽车领域系统效率​​的顶尖技术