意法半导体（ST）宣布该公司成功地采用CMOS 45nm射频（RF）制程技术制造出第一批funcational device。这项先端技术对于下一代WLAN应用产品将会是很必要的。

这些原型系统芯片（SoC）是采用300mm晶圆在ST法国Crolles厂制造，整合了从检测RF信号到输出用于作信号处理的数字数据的全功能链。这些原型系统芯片具有最先进的性能和最高的密度（在0.45mm2的面积内整合了低噪音放大器、混频器、模拟数字转换器和滤波器，可工作在1.1V）。

ST的半导体成就可归功于其开发CMOS RF衍生技术及强化其采用45nm和32nm技术节点制造单芯片行动解决方案能力的公司策略。 此成就还可归功于ST先进的 45nm CMOS RF衍生技术与其领先全球的RF设计、仿真和特征分析的专业能力。 衍生技术是在标准CMOS核心技术平台作proprietary modifications，进而为特定应用领域提供附加功能。 ST的模拟/射频衍生技术可将电阻、电容和电感等被动组件与高性能、高密度的数字逻辑功能组件整合在一起。

「第一批芯片的测试结果充分证明，我们的45nm射频衍生技术能够提供下一代WLAN的解决方案。」意法半导体Advanced R & D–High Performance Logic & Derivatives的Front-End Technology and Manufacturing部门副总裁Mike Thompson表示，「透过整合专有的制造程序，使成品芯片能够具有多种应用功能，如整合性的射频/模拟功能或各类嵌入式内存功能，这项45nm射频制程技术显示ST能够为核心CMOS平台带来附加价值。」