ST日前发表全新的高密度标准闪存芯片－M28W640C，它的结构为4Mb x 16位，操作电压为3V。新组件采用0.15微米制程，适用于个人数字助理、数字相机、高解晰度电视与蜂巢式电话等消费性应用。

ST表示，M28W640C与同一系列中，低密度16Mb的M28W160及32Mb的M28W320完全兼容。它具有个别区块锁定功能，无需等待时间就可对任何区块做锁定或解除锁定，具有瞬间编码与数据保护功能。每个区块都可承受多于100,000次的编程／擦除循环，能在2.7V~3.6V的供应电压范围中进行读取、编程与擦除，工作温度介于-40～85°C之间。

为了加强数据保密，M28W640C内含一个192位的保护缓存器与保护区块。这个缓存器分为两个区块：其一为内含一个ST开发的64位编程装置，以及一个可由用户进行一次编程的128位块。这个安全区块的参数为０，可让用户施加永久安全的保护。

M28W640C符合公共的闪存接口标准与JEDEC指令集，还有一种让系统软件能识别组件内部的电子与时间参数，以及密度数据的架构。