拥有80.4% 股份的Vishay子公司Siliconix日前宣布推出采用小型PowerPAK. 1212-8 封装的业界首款200V功率MOSFET 器件。针对固定电信网络与路由器中主要的电源直流到直流转换应用，新型N 信道Si7820DN TrenchFET功率MOSFET是电源交换市场中的最小200V 器件。

Siliconix表示，PowerPAK 1212-8 封装的面积为3.3 毫米×3.3 毫米，高度仅为1.07 毫米，其在提供卓越的热性能的同时提供了比SO-8 解决方案更小的尺寸。PowerPAK 1212-8 封装的功率消耗为3.8W，几乎是任何具有TSSOP-8 封装尺寸或更小尺寸的MOSFET 器件的两倍。该封装典型的热阻仅为1.9°C/W，而SO-8 的为16°C/W。

除空间节约及其高电压性能外，Si7820DN 还具备240m.的导通电阻和12.1nC（VGS=10V）的栅极电荷。新型功率MOSFET的工作结温和存放温度范围规定为–55°C～+150°C新型200V Si7820DN TrenchFET 功率MOSFET 的样品现可提供，量产供货周期为10～12周。