德州仪器（TI）近日宣布，推出一款用于配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓（GaN）功率场效晶体管（FET）使用的低侧栅极驱动器（low-side gate driver）。最新LM5114可驱动同步整流器与功率因子转换器等低侧应用中的GaN FET 与 MOSFET。该产品系列加上2011年推出的首款100 V半桥 GaN FET驱动器LM5113，可为高效能电信、网络以及数据中心应用中使用的大功率GaN FET与MOSFET 提供完整的隔离式DC/DC转换驱动器解决方案。

配合高密度电源转换器中MOSFET与氮化镓（GaN）功率场效晶体管（FET）使用的低侧栅极驱动器（low-side gate driver）

LM5114可透过5 V电源电压的独立源极与汲极输出驱动标准MOSFET与GaN FET。它具有使用较大或并行 FET的大功率应用中所需的7.6 A高峰值关断电流功能。此外，提高的下拉强度（pull-down strength）还有助于该组件适当驱动GaN FET。独立源极与汲极输出不但省去对驱动器路径中二极管的需求，而且还可对升降时间实现严密控制。