松下电器(Matsushita)和瑞蕯科技(Renesas)宣布成功整合测试45奈米的系统芯片(SoC)半导体制造技术。此项制程技术是完全整合1氩氟ArF(argon-fluoride)浸没式扫瞄器2与光隙数值1.0或更高的技术。两家公司在2005年10月开始合作45奈米的制程开发计划，同时两家公司自1998年即开始合作前一代的生产制程开发计划。

目前的联合开发计划将于2007年6月完成，并预计在2008年初开始量产。全新45奈米制程将由松下和瑞蕯共同使用，生产高阶行动产品和消费性网络电子产品的系统芯片。除了高阶的氩氟浸没微影技术外，两家公司也计划引进其他新技术，使其成为开发计划的一部份，包含引流高移动率晶体管3和ELK(K =2.4)多层次线路模块4。

两家公司在1998年同意合作开发下一世代系统芯片技术，当时甚至瑞蕯科技尚未成立。新计划是双方第五阶段合作的一部份，该计划开始于2005年10月。双方共同开发计划中最显著的成就包含在2001年完成130米的DRAM合并制程、2002年的90奈米系统芯片制程、2004年的90奈米DRAM合并制程，和2006年的65奈米系统芯片制程。

未来松下和瑞蕯将持续合作，基于彼此的信任、联合分配发资源和共享技术信息，有效开发高阶技术，累积技术能量，形成绝佳的合作关系。