安谱隆半导体（Ampleon）推出600W的BLF0910H9LS600 LDMOS功率放大器电晶体。

安谱隆SOT502 ISM频段小型射频功率放大器，用於900至930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。

这是第一款采用安谱隆最新Gen9HV 50V LDMOS制程的射频能量电晶体该节点已为大幅提高效率、功率和增益做了优化。它设计用於900至930MHz ISM频段中的工业加热连续波（CW）射频能量应用。该电晶体采用小型陶瓷SOT502封装，结合了大输出功率和以小尺寸提供同类最隹工作效率的优势。此举减少了所需的空间，从而降低了放大器设计的成本。

由於其高工作效率通常高於68%，其冷却需求也保持在最低限度，这有助於进一步降低所需的空间。

BLF0910H9LS600具有高增益的优势其19.8dB的典型增益是在915MHz CW AB类应用中以50V V_DS测得这有助於提高放大器的整体效率。

透过使用2个这种小型SOT502封装的600W电晶体，设计师可以在与单个SOT539封装相同的空间中搭建出一个1.2kW的射频功率放大器。这种架构还有助於降低电晶体温度，从而有效实现比单个SOT539解决方案更高的效率。

BLF0910H9LS600内建了ESD保护和内部输入匹配。此匹配增加了电晶体的输入阻抗，简化了PCB匹配结构的设计，从而可实现紧凑的放大器设计。