低功耗铁电内存（F-RAM) 和整合式半导体供货商Ramtron于近日共同宣布，该公司最新铁电随机存取内存（F-RAM） 产品的样片现已在IBM的新生产线生产。此一新产品FM24C64C是64 Kb、5V串行F-RAM器件，以总线速率运行且无写入延迟，并支持高达1万亿次（1e12）的读/写周期，这比相同等级的EEPROM器件高出100万倍。FM24C64C具有低功率运作特性，有效电流为100µA（在100 kHz下），典型待机电流仅为4µA。这款F-RAM器件是64-Kb EEPROM产品的直接硬件替代产品，适用于需要频繁或快速写入的非挥发性内存应用。

此外，FM24C64C扩展了我们低密度串行I2C器件系列的阵容，这些产品是在IBM位于美国佛蒙特州（Vermont）Burlington的生产在线制造的。FM24xxC系列产品包括带有I2C接口的4-Kb、16-Kb和64-Kb串行器件。相较于竞争器件，Ramtron的F-RAM产品具有出色的写入性能、耐久性和持久性。