ROHM推出一款小型高效的20V耐压Nch MOSFET*1「RA1C030LD」，该产品非常适合用於穿戴式装置、无线耳机等听戴式装置、智慧型手机等轻巧型装置的开关应用。

ROHM推出小型化之业界顶级超低功耗MOSFET，绝缘膜构造有助提高无线耳机和穿戴式装置等轻巧型应用的效率和运作安全性

近年来，随着小型应用装置朝向高性能化和多功能化方向发展，装置内部所需的电量也呈增长趋势，而电池尺寸的增加，也导致元件的安装空间越来越少。此外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效利用有限的电池电量，就需要减少用电元件的功耗。

针对上述需求，开发易於小型化且采用特性优异的晶圆级晶片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM更利用身为IC制造商的优势，透过灵活运用IC制程，大幅降低过去Discrete元件制程中会增加的布线电阻，成功开发出功耗更低的小型功率MOSFET。

新产品采用ROHM独家IC制程的晶圆级晶片尺寸封装*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），实现小型化的同时更降低了功耗。

与相同封装的市场竞品相比，代表导通损耗和开关损耗之间关系的指标（导通电阻*3×Qgd*4）改善了约20%，达到业界顶级水准（1.0mm×0.6mm以下封装产品之比较），非常有助缩减各种小型应用电路板上的元件占有面积，并进一步提高效率。

另外，也采用ROHM独家封装结构，使侧壁有绝缘膜的保护（相同封装的市场竞品无绝缘膜）。在受到空间限制而必须以高密度进行元件安装的小型应用中，使用此款新产品可降低因元件之间的接触而导致的短路风险，将有助应用的安全运作。