ROHM日前推出适合工业装置及太阳能发电系统功率调节器等装置的变流器、转换器使用，耐压可达1200V第二代SiC MOSFET「SCH2080KE」。由于其低损耗与高可靠性等特性，因此可适用于各种应用领域，有效协助各种装置实现低耗电．小体积目标。

此产品成功地将SiC萧特基二极管和SiC-MOSFET收纳至1颗封装中

此产品成功地将SiC萧特基二极管和SiC-MOSFET收纳至1颗封装中。此外，由于降低了内部二极管的顺向电压达70%以上，成功降低损耗外，还能减少外接零件的使用量。

目前在1200V级的变流器或转换器上，一般均使用Si-IGBT，但由于此类产品的尾电流或是外接快速回复二极管在回复时的功率转换损耗较大。然而，由于传统的SiC-MOSFET容易因为本体二极管而造成特性不佳(导通电阻或顺向电压上升/承受度不佳)或门极氧化膜故障等而衍生出许多可靠性上的问题，因此迟迟无法正式运用在产品上。

本次，ROHM改善了结晶缺陷等相关制程及组件结构，完全克服了本体二极管上的可靠性问题。此外，单位面积导通(ON)电阻比传统产品降低了约30%，因此芯片体积也更小。