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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管
 

【CTIMES/SmartAuto 林佳穎报导】   2008年11月24日 星期一

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors)扩张其RF Power 晶体管产品线,推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体(Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor,以下简称LDMOS)晶体管,该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率。

NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管
NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管

针对大范围的L波段雷达应用,恩智浦的LDMOS L波段RF功率晶体管设置了新的效率标准(漏极效率大于50%)、增益(17dB)和达500W的耐用度。

恩智浦L波段RF晶体管(BLL6H1214-500)的主要表现参数包括:500W峰值输出功率(在1.4GHz,100µs脉冲宽度,25%占空比时)、17dB增益、50%漏极效率、更佳的耐用度、能够承受高达5dB的过驱动能力、更佳脉冲偏差值(低于0.2dB)、供电电压50V、无毒封装、符合ROHS标准。

關鍵字: RF功率晶体管  L段波雷达  NXP  晶体管 
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