恩智浦半导体（NXP）日前于加州举行的「2010年IEEE MTT-S国际微波年会」上，展示其用于新一代基地台的最新高性能射（RF）和混合讯号（Mixed Signal）产品。恩智浦以SiGe:C技术为基础的完整射频和中频（IF）放大器产品系列，包括低噪声放大器（LNAs），及固定和可变增益放大器（variable gain amplifiers），能够实现无线基础设施TRx无线电设计上的更高整合度。恩智浦第七代LDMOS功率晶体管，及一个Doherty功率放大器的完整产品系列，包括业界首款三路900MHz Doherty放大器，和一个高达600W的单封装Doherty，则是一款可在大功率范围，保持高效率的小巧型组件。

恩智浦半导体高性能射频和照明业务的资深副总裁暨总经理John Croteau表示，随着无线数据流量的大幅成长，行动基础设施供货商正承受着将高经济效益和低功耗基地台快速推向市场的庞大压力。从离散组件到模块化基本组件和专用标准产品（ASSP），恩智浦提供一系列的高性能射频系列产品简化了设计过程，打造更小巧与高效的解决方案。

特色产品包括：

‧高速数据转换器。恩智浦新型高速CGVTM ADCs和DACs是产业首次运用JEDEC JESD204A串行接口，除大幅减少数据转换器与VLSI逻辑组件之间的互连讯号数量外，并能支持多数据转换器信道的同步结合。

‧先进的小讯号射频组件。恩智浦展示其射频小讯号的完整产品系列，其中包括以SiGe:C制程为基础的突破性低噪声放大器系列产品，满足无线基础设施相当严苛的要求，即NF小于0.7dB、20dB增益和33dBm IP3，达到更高的整合度。

‧最佳射频功率产品。与所有的恩智浦LDMOS功率晶体管相同，第七代LDMOS高功率晶体管确保了基地台可靠运作所需的耐用性。