意法半导体进一步提高照明安定器功率MOSFET的耐用性、切换性能和效率，功率MOSET被用于安定器及开关电源的功率因子校正器(PFC)和半桥电路内。 SuperMESH3的创新技术，结合更低的导通电阻，确保其拥有更高的效率。此外，配合其优异的dv/dt性能，更高的击穿电压极限，将大幅地提高新产品的可靠性和安全性。

ST推高耐用性及切换性能和效率之MOSFET产品

620V的STx6N62K3是新推出的SuperMESH3系列产品的首款产品，随后还将推出620V的STx3N62K3和525V 的STx7N52K3 和STx6N52K3。利用SuperMESH3技术可以降低导通电阻的优点，在620V电压下，DPAK封装的STD6N62K3把导通电阻RDS(on)降低到 1.28Ω；在525V电压下，STD7N52K3把导通电阻RDS(on)降低到0.98Ω，进而可以提高节能灯安定器等照明应用的工作效率。新技术还能降低反向恢复时间(Trr)、闸极电荷量和原生电容，可提升切换性能和工作频率。

结合优化的垂直架构和带状布局，为ST的 SuperMESH3技术增添了一个新的优点︰具有同类产品中最出色的dv/dt特性。 这个特性可以让照明系统和消费电子设备具有更高的可靠性和安全性。为了提供全方位的耐用，SuperMESH3组件全都经过了100%的雪崩测试，并整合了齐纳二极管保护功能。

在快速反向恢复时间和高压技术中，SuperMESH3的单位面积导通电阻最小，受益于这项技术， STx6N62K3、STx7N52K3、STx3N62K3和STx6N52K3可以采用比同等级产品尺寸更小的封装，如DPAK。 如此可以节省其占用面积和电路板空间，同时，在切换和散热性能方面，还能与尺寸更大的产品相媲美。