凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款高频、高输入供应电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446，其专为在双晶体管顺向转换器中，驱动顶部和底部N信道电源MOSFET而设计。此驱动器结合电源MOSFET与众多凌力尔特DC/DC控制器的其中一款后，可构成一完整的高效率双晶体管顺向转换器、亦能设定为可快速执行运作的高压DC开关。

凌力尔特发表一款高频、高输入供应电压(100V)MOSFET驱动器LTC4446。（来源：厂商） BigPic:315x225

此强而有力的驱动器，可针对驱动顶部MOSFET以1.2 Ohm拉降(pull-down)阻抗提供达2.5A的输出电流，并可针对同步MOSFET以0.55 Ohm拉降阻抗提供3A输出，因此是驱动高闸极电容、高电流MOSFET之理想选择 。LTC4446同样可针对更高电流应用驱动多个平行MOSFET，当驱动1,000pF负载时，顶部MOSFET的快速8ns上升时间及5ns下降时间，以及底部MOSFET的6ns上升时间与3ns下降时间，可使切换功耗减至最低。

LTC4446可设定为两个独立供应输入。高压端输入逻辑讯号可透过内部位准转换至启动(bootstrap)供应，因此可操作于接地电位以上之114V电压。此外，此组件可于7.2V至13.5V范围内驱动顶部及底部MOSFET闸极。