Toshiba推出一款额定电流为 20A 的 12V 共汲极 N 沟道 MOSFET「SSM14N956L」，适用於锂离子 （Li-ion） 电池组 （例如行动装置电池组） 的电池保护电路中。包括智慧手机、平板电脑、行动电源、可穿戴装置、游戏机、小型数位相机等应用。

Toshiba推出新款小巧轻薄型共汲极 MOSFET：SSM14N956L，具有极低导通电阻。（source：Toshiba）

锂离子电池组依靠高度稳健的保护电路来减少充电和放电时产生的热量并提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，需要能够提供低导通电阻的小巧轻薄型 MOSFET。

SSM14N956L 采用 Toshiba 的微工艺，确保低功率损耗 （由於先进的低导通电阻特性） 和低待机功率 （透过低闸源汲电流特性实现）。这些品质有助於延长电池的工作时间。新产品采用全新的小型薄型封装 TCSPED-302701 （2.74mm x 3.0mm，t = 0.085mm （typ.））。「SSM14N956L」目前已开始供货。