Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型25V n信道器件，从而扩展了其Gen III TrenchFET功率MOSFET系列，对于采用PowerPAK SO-8封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与闸极极电荷之乘积。

新型Siliconix 25V TrenchFET Gen III功率MOSFET具有4.5V时最大2.1mΩ及10V时最大1.7mΩ的业界最佳导通电阻，并采用PowerPAK SO-8封装。

SiR476DP在4.5V闸极极驱动时最大导通电阻为2.1mΩ，在10V闸极极驱动时最大导通电阻为1.7mΩ。导通电阻与闸极极电荷乘积是直流到直流转换器应用中针对MOSFET的关键优值(FOM)，在4.5V时为89.25nC。