Diodes公司近日推出了新型的ZXMC10A816组件，它把一对互补性的100V增强式MOSFET结合于一个SO8封装，性能可以媲美体积更大的个别封装零件。ZXMC10A816适用于H桥电路，应用范围包括DC散热扇和反相器电路、D类放大器输出级，以及其他多种类型的48V应用。

Diodes新型双MOSFET组合式组件，节省空间不折损性能。

Diodes亚太区技术市场总监梁后权指出，这个N与P信道MOSFET的组合能够代替采用SOT223和DPak (TO252)封装的等效组件，有助于减少电路板空间和组件数目，同时简化闸极驱动电路的布置。SO8充分发挥了节省空间的潜能，其占位面积只有31平方毫米，只有两个SOT223 MOSFET的30%。

最新双组件封装内的N与P信道MOSFET，在10V的闸极电压(VGS)下能够体现甚低的闸极电荷，典型通态电阻(RDS(ON)) 别为230mΩ和235mΩ，确保切换和通态损耗保持在最低的水平。功率耗散分别为2.4W及2.6W。