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意法半导体的功率创新技术可减少相当于数千辆汽车废气排放量的温室气体
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年04月12日 星期五

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半导体供货商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布其先进的超接面(superjunction)功率MOSFET系列新增快速开关产品,用于高能效消费性电子产品、计算机和电信系统、照明控制器以及太阳能设备。

超接面(superjunction)功率系列 BigPic:628x699
超接面(superjunction)功率系列 BigPic:628x699

新产品可提升设备电源能效,如200-500W中尺寸电视。如每年制造的2亿台液晶电视均采用新的MDmesh II Plus Low Qg(低闸极电荷)功率晶体管 ,每年温室气体将减排14多万吨,这个数字相当于约3万辆轿车的废气排放量 。

仅有少数芯片厂商掌握超接面技术,采用此项技术的功率晶体管具有小尺寸、耐高压和优异传导能效等诸多优点。意法半导体在这个技术领域居全球领导地位,除MDmesh功率MOSFET外,现在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。这些先进特性可降低闸极电荷数量,提高开关以及传导时的能效,有助于液晶电视常用的共振型电源节省能源。

改进其设计后,新产品降低了闸极电荷(Qg)以及输入和输出电容,这些参数有助于进一步提高开关速度和能效,推动液晶电视开发人员选用超接面晶体管设计共振电源。直到现在,超接面晶体管仍主要用于设计硬切式(hard-switching)拓扑,在电流和电压都很高的条件下执行开关操作。在共振型电源内,两个电感和一个电容(LLC功率转换器)可确保晶体管的开关电压为零,以保证系统电流曲线平滑,从而提高能效。电压瞬间变化可烧毁晶体管,引起假性开关,MDmesh II PlusTM Low Qg新系列拥有高抗瞬变能力,可承受输入电压突然剧变(dv/dt),让新产品能够在AC电力在线噪声和谐波等瞬变事件恶劣的环境中稳定工作。

首款投入量产的MDmesh II PlusTM Low Qg产品为采用TO-220封装的STP24N60M2。意法半导体将扩展此系列至50余款不同封装的产品,如TO-220FP、 I2PAK、I2PAK FP、D2PAK、TO-247 和PowerFLAT 8x8。

STP24N60M2主要特性:

1. 通态电阻(RDS(ON)):190mΩ

2. 崩溃电压:600V

3. 最大连续漏电流(ID):18A

4. 抗dv/dt能力:50V/ns

5. 100%通过崩溃测试(avalanche test)

關鍵字: STMicroelectronics 
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