快捷半导体（Farichild）宣布其MicroFET推出薄型封装版本，以协助设计人员提升其设计性能。快捷半导体与设计工程师和采购经理合作，开发出了这款整合式P沟道PowerTrench MOSFET与肖特基二极管组件FDFMA2P859T。它是一款单一封装（single-package）的解决方案，可满足电池充电和功率多任务（power-multiplexing）应用中对效率和热性能的重要需求。

FDFMA2P859T

相较于传统的MOSFET组件，FDFMA2P859T具有功率耗散和传导损耗特性，且其封装高度仅为0.55mm，比产业的标准0.8mm MicroFET降低了30%，适用于最新的可携式手机、媒体播放器和医疗设备中常见的薄型设计。

Farichild表示，FDFMA2P859T是专为满足客户设计需求所开发的一款产品，在紧凑的占位面积中提供了出色的热性能，并确保肖特基二极管在Vr=10V下保持1µA的极低反向泄漏电流（lr）。这些特性可大幅提升线性模式电池充电和功率多任务应用的性能和效率。

FDFMA2P859T是快捷半导体广泛的MOSFET产品系列中的一部分，此一系列的设计能够满足当今和未来设计对效率、空间和热性能的需求。