M-Systems及Toshiba东芝电子美国公司(Toshiba America Electronic Components, Inc.)和Toshiba东芝电子日本母公司13日共同宣布一款即将上市的G3行动快闪磁碟(Mobile DiskOnChip G3)，是世界第一款内建式记忆体产品，采用M-Systems的X2新技术及MLC资料存取型快闪记忆体矽晶片(MLC NAND flash silicon)。

Mobile DiskOnChip G3

MLC NAND多层资料存取型快闪记忆体的每个单位可储存2位元资料，而单层资料存取型快闪记忆体每个单位则仅能储存1位元的资料，所以使用MLC NAND快闪记忆体可以加倍矽晶片的储存容量。 M-Systems的X2技术结合了专业可靠性和增强性能之演算法，增强改善了MLC NAND多层资料存取型快闪记忆体，并应用于Mobile DiskOnChip G3系列的产品。

「Toshiba东芝电子发明了快闪记忆体，并且不断的加强改善快闪记忆体技术。今天，我们很高兴能与M-Systems合作，共同为行动通讯应用提供更优良的快闪记忆体系统解决方案。Mobile DiskOnChip G3所提供的高容量、高效能和低耗电量，正符合目前行动通讯装置对记忆储存容量不断增加的需求。Mobile DiskOnChip G3的合作，意味着和快闪储存装置M-Systems的策略联盟关系具有无限的潜力。 」