Integrated Materials,Inc.宣布半导体内存产品供货商Hynix Semiconductor,Inc.为其在韩国利川的300 mm生产线选择Integrated Materials的SiFusion炉具。IMI的SiFusion蒸发皿将用于制造高级储存芯片的LPCVD加工。

SiFusion纯多晶硅蒸发皿避免了竞争对手金刚砂和石英产品所需的频繁的例行清洁工作，延长了可用的炉具生产时间并且为工厂节省了成本。透过采用SiFusion蒸发皿，Hynix有望改善加工稳定性、提高吞吐量并降低总体故障率。

Integrated Materials的CEO兼总裁Tom Cadwell说，「能为Hynix提供所需炉具以实现更有效的炉具利用率和卓越的加工效能使我们感到十分激动。SiFusion炉具为更高的吞吐量、更低的成本和更轻松的加工移转到下一代65奈米和45奈米设计开启了大门。」

Hynix资质认定测试数据的总体结果表明，SiFusion轻松地满足了Hynix的严格的生产标准，这是竞争对手的产品所无法实现的。与其他解决方案相比，测试数据表明可大幅节省成本。

Hynix Semiconductor,Inc.的一位资深工程经理说，「测试SiFusionTM 300 mm蒸发皿后，显而易见这些蒸发皿可轻松整合到我们的系统中。此外，我们还看到了提高的工具正常运行时间和改善的加工效能，这些都允许Hynix提高我们客户寻求的最新内存产品的产量。」