英飞凌科技(Infineon)是第一家推出商用硅晶低噪声放大器(low noise amplifier, LNA)产品之半导体供货商，和现今昂贵的Gallium Arsenide(GaAs)产品相较，该产品能够提供更佳之效能价格比，同时亦符合移动电话3GPP之规定。在巴塞隆纳举行之3GSM World Congress 2007中，英飞凌宣布供应最新之低噪声放大器：BGA700L16和BGA734L16，它们结合了英飞凌独家的硅锗碳(Silicon Germanium carbon, SiGe:C)制程和低电阻芯片接地之特性。采用这样的结合，可获得同等级低噪声放大器中最佳之噪声水平。BGA700L16是一个双频道低噪声放大器，适用于无线局域网络(Wireless LAN, WLAN)系统中，而开发三频道的低噪声放大器BGA734L16则是适用于UNTA或HSxPA之应用。

设计无线产品之RF电路所面对的主要挑战之一，是要将灵敏度、网络之涵盖面、以及数据传输率做优化的处理，主要的决定因素是接收器之噪声水平。传统上，RF和微波系统之设计者必须采用更昂贵的GaAs低噪声放大器，这是由于以往硅晶效能的限制之故。在过去的十年，有许多的科技出版品在叙述具成本效益之硅晶制程可能在效益上是GaAs之对手。目前英飞凌是第一家证明这个方法的半导体公司，它推出了一个商用硅晶产品，其效能要超过GaAs。此外，全新之硅锗碳(SiGe:C)制程更具能源效率，更容易和其他芯片功能进行整合。

英飞凌科技公司产品营销部资深总监Michael Mauer表示，英飞凌推出此全新等级之LNA之后，再次展现在RF技术上的地位。已经在产业界设定了新的标竿，为下一代的无线应用形成更高的效能和加长的电池寿命，其中包括UNTS、HSxPA或WLAN产品。