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Infineon推出第二代碳化硅萧特基二极管
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2010年05月17日 星期一

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英飞凌(Infineon)日前宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代碳化硅(SiC)萧特基二极管。全新的TO220 FullPak系列产品结合第二代ThinQ!碳化硅萧特基二极管的高效能电气标准以及完全绝缘的封装优势,无需使用绝缘套管及垫片,安装更容易、可靠度更高。

该全新 TO220 FullPAK 在接面至散热器的热阻值与标准非绝缘TO-220的效能表现近似, 这可归功于英飞凌专利的扩散焊接技术,不仅大幅降低「芯片至导线架」的热阻,并有效针对FullPAK内部绝缘层做出补偿。英飞凌推出600 V FullPAK产品组合,额定电流从2 A至6 A,是业界此种封装类型中最多样化的碳化硅二极管产品系列。

碳化硅可说是功率半导体的革命性材质,其物理特性远优于硅的电源装置,主要的特性包括优异的切换特性、无逆向回复现象、几乎不受温度影响的切换特性,以及-55°至175°C的标准操作温度。碳化硅萧特基二极管的主要应用领域包括「切换式电源供应器」(SMPS)的主动式「功率因素校正」(PFC),及其他的AC/DC与DC/DC功率转换应用,例如太阳能转换器及马达驱动器。FullPAK产品系列尤其适用于平板显示器(LCD/PDP)与计算机的电源应用。

關鍵字: Infineon  电源组件 
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