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英飞凌推出第一代65奈米嵌入式快闪安全芯片样本
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2011年11月25日 星期五

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英飞凌(Infineon)近日宣布,推出第一代65奈米(nm)嵌入式快闪(eFlash)安全芯片样本,主要用于芯片卡与安全防护应用。这是英飞凌和台积电自2009年合作开发及生产65nm eFlash安全芯片的成果。

首批进入量产的产品将是SIM卡应用的安全芯片,预计将于2012下半年进行制程及产品验证。在竞争激烈的安全IC市场上,采用65nm技术生产具有相当大的竞争优势,因为相较于旧有技术,65 nm技术能够大幅缩小芯片体积,进而提高效率。此外,12吋晶圆亦较8吋晶圆更具生产力。

适用于芯片卡及安全防护应用的65nm eFlash技术将会是英飞凌的技术基石,让公司得以发挥创新能力,专注开发生产客制化的安全性产品,以最佳成本效益比,针对智能卡尺寸及其他应用装置提供适当的安全等级。除与台积电合作开发12吋晶圆外,英飞凌更将合作范围延伸至90nm eFlash节点。

關鍵字: Infineon 
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