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英飞凌推出650V MOSFET 搭载整合式快速回复特性
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2011年02月15日 星期二

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英飞凌近日宣布,目前正推出新一代,具备重要创新的高压CoolMOS MOSFET产品。全新650V CoolMOS CFD2,是业界首款具备650V漏源电压与整合式快速回复特性等效二极管的高压晶体管。其更为出色的软性换流行为以及更优异的EMI表现,为产品打造绝佳的竞争优势。CoolMOS CFD 2 650V产品系列提供高速切换超接面MOSFET的所有优点,如更佳的轻负载效率、降低闸端电荷、易于建置,以及卓越的可靠性。英飞凌预期此晶体管在太阳能变频器、服务器、LED照明与电信设备领域将有极佳的市场潜力。

英飞凌推出650V MOSFET,搭载整合式快速回复特性等效二极管;
高压CoolMOS产量跨越35亿组,为推动全球能源效率立下标竿
英飞凌推出650V MOSFET,搭载整合式快速回复特性等效二极管;

革命性的CoolMOS系列产品在能源效率领域设竖立了全新标竿。CoolMOS具备高压MOSFET最先进的技术,显著地减少了导通与切换损耗,为优异的电源转换系统提供更高得功率密度和效率。CoolMOS产品的应用,在消费性商品、再生能源、电信业电源供应、连接器和其他领域皆具备最卓越的表现。CoolMOS具备最佳性价比,对于日亦增高的能源需求,是最理想的解决方案。

關鍵字: Infineon 
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