全球功率半导体及管理方案厂商－国际整流器公司 (IR)，推出内建MOSFET 驱动器的IRU3055CQ 五位可编程序三相PWM控制IC。IRU3055CQ是针对需要低电压与高电流的新型GHz级CPU所设计。新组件符合英特尔VRM 9.0的技术规范，并为多相式降压转换器，支持服务器与先进桌面计算机中的CPU，以及采用英特尔Pentium 4与其它处理器的主板。

内建MOSFET 驱动器的IRU3055CQ

IR台湾分公司总经理朱文义表示: 「随着IR3055CQ方案的推出，我们的多相位PWM IC产品线得以全面扩充。IR拥有多元化的模拟IC及分离式功率半导体产品，可为设计人员提供一系列适用于运算型PCB上所有功率管理插槽的产品。」

IR表示，IRU3055CQ 具有板上内建式MOSFET驱动器，不同于大多数需搭配外部MOSFET驱动器。当IRU3055CQ与IR的HEXFET功率MOSFET搭配，如用于控制FET插槽的IRF3704S，以及用于同步FET插槽的IRF3711S，IRU3055CQ能提供高达60A的电流，满足微处理器所需的VCORE电压要求。此外表示，新的控制IC是一款固频电压模式控制器，可编程操作频率范围为50kHz至500 kHz。透过应用于五位数字转模拟转换器(DAC)的一组可编程VID码，更可在1.075 至1.85V的范围内选择输出电压，以25mV为最小单位进行调整，精确度可达1.0%。

新组件具备多项用以保护与监视电源系统以及微处理器的性能。它针对5V与12V供应电源提供电压过低锁定机制(under-voltage lockout, UVLO)，并提供外部可编程软启动功能。此外，IRU3055CQ也设有PGOOD监视电路，当转换器的输出超过设定电压±10%的范围时，电路会保持低输出。

IRU3055CQ 亦提供过压保护机制。当输出电压超过DAC设定电压值20%以上时，低位端(low-side)的MOSFET就会启动并将输出电压降低分流接地，保护CPU免受损坏。IRU3055CQ具备无损耗的电感器电流感测及分享功能(loss-less inductor current sensing and sharing)，并透过同步FET RDS(on) 感测提供电流过高保护(over-current protection)，不须额外加装感测电阻器。IRU3055CQ亦能设定提供电压下降补偿机制，当负载电流升高时，输出电压能以线性模式降低，而当负载电流下降时，输出电压则会升高，进而符合VRM的技术规范。采用36针脚宽面积QSOP封装的IRU3055CQ现已开始供货。