功率半导体及管理方案领导厂商–国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出两款新型的DirectFET功率MOSFET。相比常用于网络及通讯系统的中功率200W DC-DC总线转换器应用中的增强式SO-8组件，它们可以把系统层面的功率损耗减少10%。

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这两款新型IRF6668 80V和IRF6662 100V DirectFET MOSFET的汇编式通态电阻和闸电荷甚低，最适合用于高频隔离式DC-DC总线转换器的一次侧电源开关。

IR台湾分公司总经理朱文义指出：「现今先进网络和通讯系统中的ASIC、NPU和FPGA，皆以隔离式DC-DC总线转换器来驱动。IRF6668与IRF6662可以配合IR的低电压DirectFET MOSFET和DC总线转换器控制IC使用，建立用于中功率隔离式总线转换器的完整及优化芯片组解决方案。」

假如把IRF6662或IRF6668使用于未调整的48V输入、8V输出和200W隔离式转换器的一次侧，原有每平方吋97W的功率密度便可再提高15%。全凭IR DirectFET MOSFET封装技术的双面冷却功能加上散热器，才能达到这个效果。

100V IRF6662的组件通态电阻，比同类的增强式SO-8 MOSFET减少了4%，而汇编式导态电阻与门电荷的性能效益指数，则比用于36至75V输入、8V输出、200W、220kHz半桥式DC总线转换器的同类增强式SO-8组件高出30%。

80V IRF6668的通态电阻比同类的增强式SO-8 MOSFET改善了10%，总闸电荷也改善了30%，使汇编式导态电阻与门电荷的性能效益指数提升了40%，在48V输入、8V输出、200W、220kHz半桥式DC总线转换器中，体现多出10%的输出电流。