IR推出由IRF6631控制MOSFET及IRF6638同步MOSFET组成的全新30V同步降压转换器芯片组；这个组合备有IR的基准DirectFET封装及双面冷却功能，并具备最新的HEXFET MOSFET技术，能在中电流水平(低于18安培)达致高效率及散热效能。应用包括先进的笔记簿型和桌面计算机，电讯及数据通讯，以至透过小面积、高效率及改善了的导热效能来提升功率密度的通用同步降压设计。

30V同步降压转换器芯片组 BigPic:320x200

IR台湾分公司总经理朱文义表示，「全新的DirectFET芯片组，是希望为中间范围15至18安培功率转换器应用，寻找十分简洁兼具切换效率组件之设计人员的极佳选择。除了在5至8安培范围内提升效率逾1%，该芯片组也比采用3伙SO-8组件的传统方式节省占位面积差不多达50%。」

每项组件皆为实现其在DC-DC降压转换器电路上的表现优化而设计。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低交换损耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能灭少传导损耗及逆向修复电荷。

IRF6631控制FET的闸电荷为12nC，电阻闸电荷(99.6 mOhmsnC)优值亦比先前的产品少16%。IRF6638同步FET在4.5V提供3.0mOhms的典型通态电阻，比现有组件减少12%，但仍能维持同一闸电荷。

IR已获专利的DirectFET MOSFET封装，具有以往标准塑料分立封装所不能提供的全新设计优点。它们的金属容器结构可提供双面冷却功能，把用于驱动先进微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力，有效增加一倍。此外，DirectFET封装内的组件皆符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。