IDT公司推出200 MHz 9兆位克交换存储单元式双埠产品，可提供优秀的性能和密度。与另一种依靠多内部管芯的9兆位双埠解决方案不同，IDT以单管芯配置提供这些高密度的器件，在性能、功能、功率管理、可靠性和位成本上具有显著的优势。这些优势对于包括交换机、路由器和存储网络在内的高宽带应用是至关重要的。IDT的新器件能进行快速数据传输，有助于亚洲设计人员提高系统灵活性，大幅降低位成本，同时获得额外数据存储功能，降低系统成本。

IDT 70V7519(Bank-Switchable Dual-Port)

IDT公司亚太区销售及营销总经理林胜义表示，"IDT推出的200 MHz可交换存储单元式双埠内存大大加强了亚洲设计人员在多处理器系统环境下共享高密度存储资源的能力，同时能满足设计所需的灵活性。这些器件的量产将为亚洲客户提供业界最低成本的多埠解决方案，以具竞争力的系统成本提供卓越的性能。"

IDT表示，与上一代可交换存储单元是双埠产品相比，新器件在133MHz速度等级上能减少30%的功耗，在166MHz速度等级上减少15%功耗。36位和18位器件均有3.3伏或2.5伏输入/输出模式可供选择，3.3伏支持高达 200 MHz的速度，2.5伏支持166 MHz的速度。

器件的总线带宽、电压和操作速度十分灵活，可为设计人员提供与新型网络处理器、数字信号处理器(DSP)和上代同类设备的接口。新器件与早期的多埠器件采用同样的管脚有助于客户无缝升级到更高速度和密度产品。

高速可交换存储单元式双埠产品采用通用存储数组，64个存储单元构成，并由多路电路环绕，每个埠可在任何存储单元存取。它在带宽、频率和电压不同的各种总线上均支持高达200MHz的频率。双埠产品的各埠自有独立时钟，能在总线上以不同频率运行，甚至在不同的电压下运行。两个埠还可同时运行宽带加倍。双埠内存的同步存取功能和同步接口有效的改善了产品性能，简化了设计程序，缩短了产品问世时间。200MHz的工作频率支持14Gbps高速数据传输，而3.3伏的核心工作电压则降低了功耗。