快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出两种高电压 MOSFET组件，采用快捷半导体新型SuperFET技术，能大幅降低交换式电源供应器 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 应用的系统功率损耗，同时提高效率和可靠性。快捷半导体的专有SuperFET技术利用数个外延层组成补偿区域，以改善导通阻抗性能。全新的FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低封装性能因子 (FOM = RDS(on) x Qgd)，与拥有相同RDS(on) 水平的产品相比，FCP11N60具有最佳的 FOM。

FCP11N60和FCPF11N60均提供业界最佳的 di/dt (最大值为1430 A/us)，这是由于它们具有较宽的基底二极管剖面，确保拥有更强大的坚固性、超低RDS(on) (典型值为0.32 ohm)，以及低输出电容 (典型值为Coss=35pF)。与TO-3P封装的标准平面MOSFET提供的导通阻抗相同，快捷半导体全新TO-220和 TO-220F 封装 MOSFET同时提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供优化的栅极电荷水平 (典型值为Qg=40nC)，可降低栅极驱动器功耗和开关功率损耗。

快捷半导体高功率产品部副总裁Taehoon Kim表示，「快捷半导体的SuperFET高电压 MOSFET系列产品为设计人员以相同储存能量提供相对较低的输出电容 -- 这对于SMPS应用特别有利。」

新型FCP11N60和FCPF11N60分别采用TO-220和TO-220F封装。这种无铅产品达到甚或超越了联合IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。SuperFET MOSFET的推出与快捷半导体用于SMPS和DC/DC转换应用的解决方案相辅相成，包括PFC/PWM控制器、桥式整流器和光耦合器。