近年来消费性电子和工控设备的电源在节能方面的要求升高，以期实现永续发展，因而能够帮助提高功率转换效率和实现元件小型化的GaN HEMT受到关注。但与Si MOSFET比较之下，GaN HEMT的闸极处理较为困难，必须与驱动闸极用的驱动器结合使用。半导体制造商ROHM针对伺服器等工控设备，和AC适配器等消费性电子设备的一次侧电源，推出集结了650V GaN HEMT和闸极驱动器等技术的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。

ROHM的EcoGaN Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」集结650V GaN HEMT和闸极驱动器等技术，有助应用产品进一步降低功耗、实现周边元件小型化、减少设计工时和元件数量。

ROHM结合擅长的功率和类比两种核心技术优势，所开发出集结功率半导体GaN HEMT和类比半导体闸极驱动器於一体的Power Stage IC。这使得被称为新世代功率半导体的GaN元件能更轻易地被导入。

新产品中汇集新世代功率元件650V GaN HEMT、能够大幅发挥GaN HEMT性能的专用闸极驱动器，以及追加功能和周边元件。另外，新产品支援更宽的驱动电压范围（2.5V～30V），具备支援一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（可称为Super Junction MOSFET）协助减少伺服器和AC适配器等应用损耗。与Si MOSFET相比，元件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和小型化。

新产品於2023年6月已量产。另外新产品及对应的三款评估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）也已开始透过电商平台销售。