蔡司（ZEISS）今日发表高解析度3D X光（X-ray）成像解决方案新品，支援2.5/ 3D及扇出型晶圆级封装（FOWLP）等各种先进半导体封装的失效分析（FA）。蔡司新推出的系统包含分别支援次微米与奈米级封装失效分析的「Xradia 600 Versa系列」、「Xradia 800 Ultra X-ray显微镜（XRM）」及新款「Xradia Context microCT」。

蔡司针对先进半导体封装失效分析推出全新3D X-ray成像解决方案

蔡司制程控制解决方案（PCS）暨蔡司半导体（Carl Zeiss SMT）总裁Raj Jammy表示：「170年来，蔡司持续拓展科学研究并开发先进的成像技术，以促成崭新的工业应用与技术创新。现今半导体产业的封装与元件体积持续缩小，因此新的成像解决方案必须迅速辨识出失效的元件区域以达到更高的封装良率。我们非常高兴能针对先进半导体封装推出三款全新的3D X-ray成像解决方案，为客户提供强大的高解析度工具，并提高其失效分析的成功率。」

随着半导体产业逐渐逼近CMOS微小化的极限，半导体封装必须协助弥补效能上的落差。为持续生产体积不断缩小且速度更快的元件，并满足更低功耗的需求，半导体业界透过3D晶片堆叠及其他新颖的封装规格，发展出创新的封装方法。然而，这也衍生出日趋复杂的封装架构、新的制程挑战以及日渐升高的封装失效风险。此外，由於失效的位置通常深藏在复杂的3D结构内部，传统的视觉化失效定位方法已逐渐失去效益，因此新的检测方式必须能有效辨识并判定这些先进封装失效的原因。

为因应这些需求，蔡司开发出全新的3D X-ray成像解决方案，能针对埋藏在完整的先进封装3D架构中的电路板与其缺陷，呈现次微米与奈米级的3D影像。此解决方案是透过旋转样本，以不同的角度拍摄一连串2D X-ray平面影像，再运用精密的数学模型与演算法建构出3D立体图像。3D立体图可从任何角度切分成数量无上限的虚拟横切面视图，在进行物理失效分析（PFA）之前提供失效位置的宝贵资讯。蔡司所提供的次微米与奈米级结合的XRM解决方案能提供独特的FA工作流程并大幅提高其成功率。