美高森美公司(Microsemi Corporation) 推出新型750W RF晶体管，扩展其基于碳化硅(silicon carbide, SiC)衬底氮化镓(gallium nitride, GaN)高电子移动率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)技术的射频(radio frequency, RF)功率晶体管系列之阵容。在全系列空中交通管制和防撞设备中，MDSGN-750ELMV提供了突出且最高的功率性能。目标应用包括商用二次监视雷达(secondary surveillance radar, SSR)，这种设备全球各地都在使用，以询问和识别距离机场地区和区域中心大约200英里范围内的飞机。

美高森美公司RF整合式解决方案部门副总裁兼总经理David Hall表示：“美高森美在RF解决方案领域所拥有的领导厂商之声誉，是建立在其30年深厚的经验、杰出的工程技术团队，以及专注提供突破性能和可靠性限制的新产品方面。从元器件到组件和客制化封装，我们将继续投资所需的技术和设备，进一步巩固我们的领先地位，并且为我们的客户提供更好的服务。”

当在1030/1090MHz下工作，MDSGN-750ELMV可提供无与伦比的750 W峰值功率和17分贝(dB)功率增益及典型的70%汲极效率性能，在覆盖此频带的此类单端器件中，它具有最大的功率。

此外，对于1030MHz地面询问机和1090MHz空用答询器(airborne transponder)，新的RF器件能够应对严苛的商业模式S(Mode-S)扩展长度信息(Extended Length Message，ELM)脉冲条件，并且可以用于高性能地面输出级。ELM让空中旅行变得更加安全，因为它可促进共享天气和飞机空中交通态势感知信息在某一区域场所内的沟通。在商用空对空(air-to-air)交通警告和防撞系统(collision avoidance systems，TCAS)及敌我识别(Identify Friend or Foe，IFF)系统中，它也是理想的选择，这些都是在特定地区中保护友好飞机所必备的系统。

关键技术特性：

‧ ELM脉冲格式 - 数量48脉冲的丛发(burst)： 32 us(通)/ 18 us(断)

丛发重复周期： 24毫秒

长期占空比： 6.4%

‧ 出色的输出 功率： 750 W

‧ 高功率增益： 17.2分贝最小值

‧ 极佳的汲极效率： 70%汲极效率

‧ 汲极偏压 - Vdd: +50 V

‧ 击穿电压(BVdss) 200V

‧ 低热阻： 0.24 ℃/W

‧ -40 至 +85℃范围功率输出温度稳定性:

GaN on SIC HEMT器件具有多项优于替代制程技术的优势，包括更高的功率性能、节省材料成本和减少器件占位面积。例如，MDSGN-750ELMV可提供以下的效益：

‧ 单端设计采用简化的阻抗匹配，替代需要额外组合层次的低功率器件

‧ 最高的峰值功率和功率增益简化系统功率级和末级组合

‧ 单端输出级对(pair)提供带有余量的1.5 kW峰值输出功率

‧ 四个输出级对组合提供全系统5 kW的峰值输出功率

‧ 50V 偏压可以使用现有的电源轨，减少DC电流需求

‧ 改善系统良率的稳健性能

‧ 与采用硅双极接面晶体管(silicon bipolar junction transistors，Si BJT)或横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal oxide semiconductor，LDMOS)器件相比，放大器尺寸缩小了50%

‧ 击穿电压动态余量比硅双极型和硅LDMOS器件大得多，并且在更高的结温下工作，提供更稳健的运行和更长的MTTF

‧ 在-55至+85℃范围的出色温度稳定性

除了RF组件，美高森美的商用航空产品组合还包括：FPGA、TVS二极管、整合式的标准和客制化产品、集成电路、电源调节和管理组件及模块、专用集成电路(ASIC)、微波器件和组件、高密度内存产品、客制化半导体封装和整合式配电系统。