瑞萨电子（Renesas）日前宣布已开发出一款适用于汽车实时应用领域之40奈米（nm）内存知识产权（IP）。瑞萨亦使用上述40奈米闪存技术，针对汽车应用领域推出40奈米嵌入式闪存微控制器（MCU），其样品将于2012年秋季开始供应。

瑞萨表示，其在开发具有高质量及可靠性的闪存MONOS（金属氮氧硅）技术方面，拥有丰富的经验。在2007年，瑞萨也是首先推出90奈米汽车用闪存MCU产品的厂商。

瑞萨闪存MONOS技术为可扩充的技术，40奈米闪存测试组件的评估结果，已证明其在三个重要的参数（数据保存、程序／抹除周期耐受性及程序设计时间）方面，均能成功做到特性表现。40奈米制程节点可整合多种与安全相关的功能性与通讯接口。

瑞萨的40奈米闪存IP保证数据可保存20年，并可在最高170℃结合温度下进行读取。此外，程序代码闪存支持120 MHz读取速度，而数据闪存即使在125,000次程序／抹除周期后，仍可达到20年数据保存时间。