诸如马达控制逆变器应用和高效能电源系统等行业应用，系统设计工程师力求在单一 IC 封装中，实现高度整合的闸极驱动和保护功能，以简化设计并提高效率。最新开发的 FOD8332 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT/MOSFET 驱动光耦合器。

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该组件的额定绝缘工作电压 (VIORM) 为 1,414V，较之竞争产品高 13%，可直接驱动 1200V 的 IGBT。共模瞬态抗噪声 (CMTI) 较之竞争方案高一倍以上，开关期间每周期动态功耗 (ESW) 较之竞争产品低 50% 。

这些高压组件令具有特定额定功率的系统能够在更高电压及更低电流的条件下工作，同时可抑制噪声，降低损失，使逆变器工作更高效。

FOD8332 整合必要的关键性保护功能，防止故障的发生，从而确保不会产生破坏性的 IGBT 热变形现象。由于大多数保护功能采用内嵌设计，可降低设计的复杂性，无需电路板设计者再使用额外组件。

该组件采用Fairchild专有的 Optoplanar共面封装技术及优化的 IC 设计，以实现高压绝缘和较高的抗噪声效能，并且具有较高的共模抑制。

该组件采用宽体 16 pin 小型塑料封装，在紧凑的包装内即可实现较高的隔离性能。

Fairchild体隔离和光电技术总监 John Constantino 表示︰「Fairchild为客户提供一个独特的组合，包含功率组件、设计上的专门知识和制造上的经验，从而能有设计出令人惊艳的电子产品之能力。FOD8322 开发之前采纳客户意见，并且整合了专为解决客户所面临的难题而设计的若干功能。这正是我们专注客户需求的重要组成部分，亦是我们致力于成为创新电源管理解决方案重要信息来源的目标。」

重要特色︰

‧ 输入端 LED 驱动，辅助接收来自 PWM 输出的数字编码讯号

‧ 光学隔离故障感测回馈

‧ 高 dv/dt 期间，主动米勒箝位可关断 IGBT，无需负电源电压

‧ 透过共模抑制实现高抗噪声特性 - 35KV/μs（最小值），VCM = 1500 V（峰值）

‧ 为中等功率 IGBT 提供 2.5 A 峰值输出电流的驱动能力

‧ 输出级 P 信道 MOSFET 使输出电压摆幅接近供电轨(Supply rail) （轨到轨输出）

‧ 较宽的电源电压范围： 15 V 至 30 V

‧ UL1577，一分钟 4,243 V RMS

‧ DIN-EN/IEC60747-5-5 (待定)：

‧ 1,414V峰值工作绝缘电压

‧ 8,000V峰值瞬态隔离额定电压

‧ 8 mm 沿面和间隙距离

应用：

‧ 隔离 IGBT/功率 MOSFET 闸极驱动

‧ 可再生能源 - 光伏逆变器、风能逆变器

‧ 交流和无刷直流马达驱动

‧ 工业用逆变器

‧ 不间断电源

‧ 感应加热