【德国慕尼黑讯】英飞凌科技（Infineon）推出碳化矽（SiC）射频功率电晶体的氮化镓（GaN）系列产品。凭借英飞凌的氮化镓技术，该款新产品可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器。相较于既有的射频功率电晶体，新产品拥有高效率、更佳的功率密度与更大的频宽，提升了建设基础设备的经济效益，有效支援现今的蜂巢式网路。此外，由于具备更高的资料传输量，因此强化了使用者经验，为5G 技术的转型铺路。

英飞凌新款氮化镓装置可协助行动基地台的制造商打造体积更小、功能更强大，且具弹性的发射器。

英飞凌射频功率电晶体产品线副总裁暨总经理Gerhard Wolf 表示：「新产品系列结合了创新与蜂巢式基础架构需求的应用知识，为全球客户提供新一代的射频功率电晶体。它们不仅大幅提高作业效能，并减小行动基地台发射器端的体积。此外，随着转换至宽能隙半导体技术，让我们引领着蜂巢式基础架构的持续演进。」

新射频功率电晶体运用氮化镓技术的效能，比现今常见的LDMOS 电晶体效率提升百分之十，功率密度更达五倍。这意味着，今日所使用基地台发射器（操作频率范围在1.8 至2.2 GHz 或2.3 至2.7 GHz）的功率放大器（PA）在同样的功率需求下只需更小的体积。未来碳化矽基板氮化镓（GaN on SiC）产品亦将支援频率范围高达6 GHz 的5G 行动频带。这样的发展蓝图确保英飞凌能立足于长久的专业知识和最先进的生产技术，稳健发展其射频电晶体技术。

卓越的设计弹性加上支援4G 次世代技术，是GaN 装置带给射频电晶体应用的另一项额外优势。新产品拥有LDMOS 两倍的射频频宽，因此一台功率放大器就能支援多重操作频率。同时，它们也提供发射器更大的瞬间频宽，允许载体使用4.5G 蜂巢式网路指定适用的资料聚合技术而提高传输量。工程样品和参考设计已可提供予签订具体保密协议（NDA）之客户。