奈米自旋晶体管是目前非常新颖及极具市场潜力之明星产品，工研院光电所于新竹工研院中兴院区举办「自旋晶体管成果发表会」，会中展示已成功研发出之穿隧巨磁电阻效应机制的自旋晶体管。

工研院副院长暨前瞻奈米计划总计划主持人杨日昌表示，台湾在自旋电子技术的研发投入时程均较欧、美、日晚。工研院光电所是自1998年开始从事自旋晶体管相关的巨磁电阻技术研究，并于2002年7月成立「自旋科技实验室」后，致力于研发自旋晶体管，但在这短短一年半，就可看到工研院光电所展现如此具国际性的技术实力。相信在近几年内我们将可发展高质量的自旋电子晶体管组件，并将其运用于可工业应用技术领域，发挥出最大的商业潜力，甚至将会发展出人们现今无法预期的电子新组件，以创造出更具爆发力之科技新领域。

晶体管是近代电子电路的核心组件，它具有控制电流流量功能，而各种不同功能的电子组件都是由这样的晶体管组合而成。自旋晶体管则是透过电子具有自旋的特性来控制电流通过与否，进而产生类似晶体管的效应。光电所研发穿隧与金属巨磁电阻效应机制自旋晶体管的特色，是有效地在硅基版上结合磁阻组件与半导体接面制作出自旋晶体管，并利用电子于磁阻组件不同磁矩分布状态时，以电子损失能量的多寡来决定是否有输出电流通过与否，相当有效率。