意法半导体将两项新的封装技术应用到三个先进的高压功率MOFET系列产品，让充电器、太阳能微逆变器和计算机电源等重视节能的设备变得更精巧、更稳健以及更可靠。

意法半导体以创新的功率封装技术开发更小、更耐用的650V和800V MOSFET

意法半导体先进的PowerFLAT 5x6 HV和PowerFLAT 5x6 VHV封装拥有高达650V和800V电压执行所要求的隔离信道长度和间隙，而封装面积与工业标准的100V PowerFLAT 5x6封装的5mm x 6mm相同，比主流的DPAK封装缩小52%。此外，这两个先进封装仅有1mm的厚度，配备一个裸露的大面积金属汲极接垫（metal drain pad），透过印刷电路板上的散热通孔最大幅度地散热。

这些功能同时提高了高压输出能力、稳健性、可靠性和系统功率密度。

意法半导体目前推出了三款采用PowerFLAT 5x6 HV封装的650V MDmesh V MOSFET产品，并推出了四款额定电压极高、采用PowerFLAT 5x6 VHV 800V封装的SuperMESH 5 MOSFET。

此外，意法半导体已开始提供两款采用PowerFLAT 5x6 HV 封装的600 V 快速开关MDmesh II Plus low Qg MOSFET测试样品。