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英飞凌新功率MOSFET 适合节能型电源转换应用
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍报导】   2009年07月03日 星期五

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英飞凌科技宣布推出OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列产品。这项新装置的导通电阻[RDS(on)]和优值系数(FOM)可降低功率损耗,并在所有负载条件之下,提升切换模式电源供应器(SMPS)以及马达控制和快速切换D类放大器等功率应用的整体效率。

OptiMOS 3 75V功率MOSFET系列产品,适合于AC/DC切换模式电源供应器进行同步整流时使用,例如用于桌面计算机以及为全球市场制造之计算机服务器的电源供应器。新节能目标,例如:由「计算机产业拯救气候行动计划」(Climate Savers Computing Initiative)发起的80PLUS Gold标准所提倡的计算机节能效率,比美国「能源之星」(Energy Star)计划目前的标准还提高约10%。藉由英飞凌OptiMOS 3 75V,便能有效达到上述规格。OptiMOS 3 75V装置采用节省空间SuperSO8封装,比其他同类装置的导通电阻更低40%,优值系数更低34%,在SMPS的同步整流阶段,能降低电源损耗高达10%。

此外,英飞凌OptiMOS 3 75V功率MOSFET产品也提供更小巧的电源供应器设计。例如采用SuperSO8封装的OptiMOS 3 75V装置,可以替换相等密度的D²PAK装置,即可节省机板空间高达60%,垂直高度降低达77%(从4.44毫米至1毫米),且封装宽度减少将近一半(从10.1毫米至5.15毫米)。另外,公司也提供采用TO-220封装的2.0 m典型导通电阻高密度OptiMOS 3 75V功率MOSFET产品,可替换两项其他同类装置。

關鍵字: 功率MOSFET  Infineon 
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