快捷半导体(Fairchild) 日前宣布，开发出一系列针对光电逆变器应用的650V IGBT产品，协助设计人员应对这一产业挑战。

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快捷半导体公司的场截止IGBT技术能够让设计人员开发出具有更高输入电压的高可靠系统设计，同时提供具有低导通损耗和开关损耗的最佳性能。另外，650V IGBT具有高电流处理能力、正温度系数、严格的参数分布，以及较大安全运作范围等特点。

更高的崩溃电压能够改善寒冷环境温度下的可靠性，随着温度的降低，IGBT和FRD阻断电压亦会下降，因而650V IGBT特别适合在较冷气候之下运作的太阳光电能逆变器。因为仔细选择IGBT和飞轮(free-wheeling)二极管是取得最高效率的必要条件，650V IGBT提供快速和平缓的恢复，能够降低功率耗散，并减少开启和关断损耗。