盛美半導體設備（上海）股份有限公司，宣佈已接到29台Ultra C wb槽式濕法清洗設備的批量採購訂單，該設備可應用於加工300mm晶圓，其中16台設備的重複訂單來自同一家中國國內代工廠，重複訂單的目的是支援該工廠的擴產。此批設備計畫從2022年開始分兩個階段發貨。

盛美上海董事長王暉博士表示：「我們開發槽式濕法系統是為了覆蓋更廣泛的技術節點下，客戶對濕法清洗技術的需求。這筆訂單證明了我們以極具競爭力的產品，使公司產品組合完成從先進清洗制程到全清洗制程覆蓋的策略是正確的。能從客戶手中獲得這筆重複批量訂單證明我們的策略是成功的，因為這筆訂單來自同一家代工廠，而且屬於槽式濕法清洗市場範疇。這也明確展示了我們的技術實力、日漸穩固的市場領先地位以及滿足客戶需求的能力。加上盛美上海的先進低壓乾燥技術，我們的槽式產品幾乎可以完成一切使用槽式清洗設備的清洗制程步驟。」

王暉董事長提及之先進乾燥技術，為盛美上海於今日宣佈推出，用於300mm槽式系統的ULD（超低壓乾燥）技術。該制程專門為解決槽式清洗中乾燥技術難題而設計，例如先進半導體晶圓上的3D NAND結構及邏輯產品的高寬深比結構在槽式清洗中的乾燥問題。

盛美上海的新型ULD槽式模組使用低壓異丙醇（IPA）乾燥制程來滿足大多數槽式清洗乾燥制程的要求，包括爐管前清洗、離子注入後清洗和乾法刻蝕後光刻膠去除、化學機械拋光（CMP）後清洗以及薄膜沉積、氧化層刻蝕和氮化物去除等制程。

盛美上海已於2021年第三季度，向一家領先的中國記憶體半導體製造商，交付首個ULD模組，初步的制程資料已證明ULD在先進節點製造中的有效性。

Ultra C wb槽式濕法清洗設備的主要清洗應用，包括爐管前清洗、RCA清洗、光阻去除、氧化層刻蝕、氮化矽去除，以及晶圓回收制程中前段FEOL多晶矽/氧化矽層剝離去除，和後段BEOL金屬層剝離去除。

可配置獨立的多種化學液清洗（MCR）模組，按不同的制程組合在該模組中依次使用多種清洗藥液，如SC1、SC2、DHF、DIO3、DIW等，清洗效果好，避免交叉污染，成本低。Ultra C wb槽式濕法清洗設備有效利用化學藥液和去離子水（DIW），環境友好，且憑藉其精巧的模組化設計，佔用空間小的優點，可以在生產車間靈活配置。

該ULD模組利用高溫氮氣（N2）配合高溫IPA，降低晶圓乾燥時液膜的表面張力，增加水離開晶圓表面時 IPA 和 DIW 的表面張力梯度。該模組可降低IPA/N2混合中乾燥模組環境的壓力，加速IPA替代置換DIW速率以及IPA在晶圓表面的蒸發。

該技術極大地提高晶圓的乾燥性能，尤其是應用於較大深寬比結構和較小圖形尺寸的晶圓表面時，極大降低浮水印和顆粒殘留的污染風險，縮短乾燥時間並有效避免晶圓圖形塌陷變形等問題。