快捷半導體日前才完成收購碳化矽(SiC)功率電晶體企業TranSiC，掌握了最關鍵的SiC材料與製程技術，並且能夠在超廣溫度範圍下有亮眼出色的性能，以及高於金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）和接面場效電晶體（JFET）技術的雙極SiC電晶體技術。而2012年11月的現在，快捷半導體鄭重向外界宣布邁向碳化矽(SiC)功率半導體元件元年正式到來，鎖定風力發電逆變器、太陽能逆變器(Inverter)、工業驅動、混合動力車、純電動車(BEV)、不斷電系統(UPS)等高功率轉換應用領域市場這塊大餅。

雙極電晶體（BJT）將預定在2013年開始進行量產，正式加入與其他SiC功率半導體供應商一起爭奪5kW以上高瓦數應用市場的爭奪戰。雙極電晶體（BJT）是該產品系列的第一批產品，能在高工作溫度下提供最低的整體功率損耗，快捷亞太區市場行銷副總裁藍建銅提到，快捷半導體第一款SiC BJT能夠提供最高轉效率的電源開關，重點在於開關的損耗低，具備高效能、高電流密度、耐用性高，且可輕易在高溫條件下運作，可實現更高開關頻率，因其導通和開關損耗更低（約 (30-50% 不等)，在同樣的系統形態條件下，可提供高達40%的輸出功率。

工業應用及電力電子設計者在其設計中一直面臨不斷提高效率及降低功率損耗方面的挑戰，例如：可再生能源、高密度電源、工業電機驅動器、汽車、鑽井下作業設備等應用中，提高這些關鍵設計能力可能使設計變得複雜，以及整個系統成本增加。目前SiC功率半導體價格與傳統矽功率半導體元件相比仍高出太多，不過SiC功率半導體具備高密度與高轉換效率優勢，尤其是在5kW以上的相關應用，比起傳統矽功率半導體元件印刷電路板節省將近一半的被動元件，所以整體物料清單成本可望有20%的減幅，而在尺寸方面又能夠縮小30～50%。

未來如果SiC BJT價格持續下降，可望能夠增加功率半導體的市佔率，但要減低SiC BJT的製造成本勢必要提高製程的良率。為了協助設計者克服這些挑戰，快捷半導體宣告碳化矽（SiC）技術解決方案，同時計畫明年將開始委外代工，並藉由收購TranSiC而運用SiC BJT的技術能量，漸漸邁向經由微調製程來突破量產這項挑戰。