帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Vishay推出新系列P通道MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 劉筱萍報導】   2007年10月11日 星期四

瀏覽人次:【4270】

Vishay推出新系列P通道MOSFET,這些元件建立了每單位面積最低導通電阻的新記錄。基於新一代TrenchFET晶片技術的新型Vishay Siliconix元件採用PowerPAK SC-70封裝(2.05 mm×2.05 mm)時最大導通電阻額定值為29毫歐,採用標準SC-70封裝(2.0 mm ×2.1 mm)時為80毫歐,採用SC-89封裝(1.6 mm×1.6 mm)時為130毫歐。

與市場上僅次之的MOSFET相比,這些新型Vishay Siliconix元件的規格表現了高達63%的改進。這些新型P通道TrenchFET將用於手機、MP3播放器、PDA及數碼相機等可擕式終端產品中的負載開關、PA開關及電池開關,在這些應用中,它們的低傳導損失將有助於延長電池的運行時間,它們的微型封裝將節省寶貴的板面空間,從而實現更多功能。

在可擕式電子系統中,通過在顯示器或功率放大器等功能不用時關閉它們,或將系統從活動模式切換到睡眠模式,P通道MOSFET執行基本功能,從而節省電池使用時間。執行這些切換任務時,這些新型Vishay Siliconix元件的功耗低於市場上的先前任何P通道功率MOSFET,因為它們超低的導通電阻額定值會直接體現成更低的導電損失。

日前推出的P通道TrenchFET包括具有-12V、-20V及-30V擊穿電壓額定值的單通道元件。這些元件採用6引腳SC-89、標準SC-70及PowerPAK SC-70封裝,所有封裝均無鉛(Pb),符合當今的環保要求。

關鍵字: Vishay 
相關產品
Vishay推出獲沉浸式許可的新尺寸IHPT觸覺回饋致動器
Vishay固體鉭模製片式電容器為電子爆震系統增強性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體
Vishay液態鉭電容器為軍事和航電應用提供高電容和穩健性
Vishay推出小尺寸薄膜環繞片式電阻器提供高達1 W功率
  相關新聞
» MONAI獲西門子醫療導入應用 加快部署臨床醫療影像AI
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驅動器拉伸封裝可實現緊湊設計、快速開關
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.172.69.214.87
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]