Microchip近日宣佈，在其RF功率放大器產品線中，加入新款SST12LP17E和SST12LP18E元件。SST12LP18E則具備較低成本和低工作電壓，可取代Microchip的SST12LP14E功率放大器。

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SST12LP18E具備Microchip全系列RF功率放大器中最低的工作電壓，並可在-20至+85℃的環境下工作；該元件的工作電壓低至2.7V，在IEEE 802.11g OFDM 54 Mbps標準下、EVM值為2.5% 時線性功率輸出高達18.5 dBm，在IEEE 802.11b標準下則為23.5 dBm，而在IEEE 802.11b標準下高功率附加效率則高達38%。該放大器採用8接腳2 mm x 2 mm x 45 mm QFN封裝，為小尺寸、高效率和採用電池電源的嵌入式WLAN應用提供了理想的解決方案，例如消費性電子市場、手機、遊戲機、印表機和平板電腦。

工程人員面臨著為應用延長電池壽命的挑戰，Microchip推出的全新元件透過提供高功率附加效率（power-added efficiency）降低電池功耗，並透過低工作電壓進一步延長了電池壽命，從而滿足工程人員的需求。與SST12LP17E搭配的輸入和輸出埠容易使用，可以加快將產品推向市場的速度；此外，該元件無需搭配外部RF元件，只需要一個外部電容，節省更多的電路板空間。

Microchip射頻部門副總裁Daniel Chow表示，Microchip透過發佈全新的功率放大器，未來將能協助客戶在同樣的溫度條件下，以更低的工作電壓達到同樣可靠運作的效能。這些能在低電壓條件下達成高效運作能力的元件協助延長消費性電子產品的電池壽命。