國際整流器（International Rectifier；IR）推出一對新型30V HEXFET功率MOSFET。相比於採用30V MOSFET的解決方案，它們可提供高出2％的輕負載效率，用於驅動最新Intel和AMD處理器中的45A、二相同步降壓轉換器，適用範圍包括筆記簿型電腦及其他高效能電腦應用。

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這兩款新型無鉛元件分別是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，它們能夠體現最佳的傳導、交換和本體二極管損耗，發揮最大的效率和功率密度。兩款元件可用作二極同步降壓轉換器電路中的晶片組，這些電路每相需要1個控制和2個同步MOSFET。這些新型SO-8 MOSFET還適用於其他採用PWM控制的DC-DC降壓轉換器應用。

IR台灣分公司總經理朱文義表示：「在低至中功率水平，高效率對筆記簿型電腦十分重要，因為它們是最主流的電池驅動產品。我們的新晶片組可針對這方面的需要，在5至15安培的範圍內把效率提升2％。新元件可減低功率損耗，從而降低系統的操作溫度，這一點對便攜式電腦也相當重要。」

新晶片組包含1個控制MOSFET和1個同步MOSFET，每個元件皆經過定製，各自發揮最大效能。控制MOSFET具有更低的交換損耗（閘電荷），同步MOSFET則具有低傳導損耗（低通態電阻）及低逆向恢復電荷。

IRF7823PbF是一款經過最佳化的控制場效應管（FET），閘電荷（Qg）與閘漏極電荷（Qgd）都十分低，分別只有9.1nC和3.2nC。

IRF7832ZPbF同樣經過最佳化，能發揮完善的同步FET功能；在4.5V 下的典型通態電阻極低，只有3.7mOhm，適用於12A或以下的應用環境。IRF7823PbF和IRF7832ZPbF現在已開始供貨。它們皆不含鉛，而且符合有害物質管制規定（RoHS）。