安森美半導體（ON）持續擴展其高效能低成本的電源MOSFET產品線，近日又推出新的自我保護元件SmartDiscrete家族。這些新元件為低位端(low-side)、自我箝位(self-clamped)、46伏、 48-185 毫歐姆的MOSFET，具整合電流限制保護、過溫停機、過電壓保護、及靜電釋放保護等。安森美半導體的HDPlus晶圓製程，能讓單一晶片即使在很廣的溫度範圍中也能發揮最大的效能。此系列元件也提供許多整合的特性，包括能取代業界首見的具動態箝位、靜電釋放保護、一般常用的3055 MOSFET，到具電流和溫度限制功能的全自我保護 MOSFET。

ON自我保護元件SmartDiscrete家族

安森美半導體副總裁暨整合電源元件部總經理Ramesh Ramchandani表示：「系統設計者急於找到可減少元件數量、改善系統可靠性、並能簡化軟硬體設計的解決方案。由於安森美半導體新的SmartDiscrete MOSFET整合了傳統上需由多個離散元件組成的保護電路，所以是發展可靠系統之最佳節省空間且成本效益高的解決方案。」

安森美半導體表示，保護特性是電源MOSFET須承受高功率及/或短路情況之應用所不可或缺的。為符合此需求，安森美半導體新的SmartDiscrete電源MOSFET的自我保護電路設計乃結合了泄漏電流感應和限制。在負載短路時，電流限制電路保護可防止電流尖峰。若此狀況一直持續，則溫度電路會追蹤接點溫度，當其達到一特別設定點時(典型值為175?C，則此元件會被關閉。當內部溫度限制電路在接點溫度降低約15(C時，會自動開啟主MOSFET。此元件會重複此熱循環直到短路情況排除為止。