帳號:
密碼:
最新動態
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
宜普電源推出單片半橋式氮化鎵功率電晶體
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2014年12月09日 星期二

瀏覽人次:【2987】

為了協助功率系統設計增加效率與功率密度,宜普電源轉換公司(EPC)推出60 V單片半橋式氮化鎵功率電晶體-- EPC2101。透過整合兩個eGaN功率場效應電晶體而成?單個元件,可以除去互連電感及電路板上元件之間所需的空隙,使得電晶體的占板面積?少50%。結果是可

/news/2014/12/09/1350558900.jpg

增加效率(尤其是在更高頻率時)及提高功率密度,推動28V轉1 V負載點轉換器在14 A輸出電流時實現超過87%效率;並同時降低終端用戶的功率轉換系統的組裝成本。理想的應用領域是高頻直流-直流轉換。

在EPC2101半橋式元件內,每個元件的額定電壓是60 V。上面的場效應電晶體的導通電阻(RDS(on))的典型值是8.4 ,下面的場效應電晶體的導通電阻典型值是2。高側場效應電晶體的尺寸大約是低側元件的1/4,使得具有高VIN/VOUT比值的降壓轉換器可實現最佳直流-直流轉換效率。EPC2101使用晶片封裝方式以改善開關速度及散熱性能。其尺寸為6.05 毫米x 2.3 毫米,功率密度更高。

EPC9037是一塊2英寸x1.5英寸的開發板,包含一個EPC2101整合半橋式元件,使用德州儀器的閘極驅動器(LM5113)、電源及旁路電容。電路板的布局可實現最佳化開關性能,並設有多個探孔,使用戶容易測量簡單波形及計算效率。以上的產品已供貨。(編輯部陳復霞整理)

關鍵字: 電晶體  電路板  半橋式  閘極驅動器  宜普電源  電晶體 
相關產品
英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件
英飛凌新一代CoolGaN電晶體系列採用8 吋晶圓製程
意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用
意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器
EPC新推80 V和200 V eGaN FET
  相關新聞
» AI推升全球半導體製造業Q3罕見成長 動能可望延續至年底
» 應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
» SEMI:2024年Q3矽晶圓出貨量增6% 終端應用發展冷熱不均
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
  相關文章
» 未來無所不在的AI架構導向邊緣和雲端 逐步走向統一與可擴展
» 延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構
» 提升供應鏈彈性管理 應對突發事件的挑戰和衝擊
» 專利辯論
» 碳化矽基板及磊晶成長領域 環球晶布局掌握關鍵技術

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BU4R7ZD4STACUKJ
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: [email protected]